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半导体元件工业公司申请使用远程外延碳化硅层转移的结构制造方法及碳化硅结构专利生成包括多晶SiC支撑基板上外延SiC层的最终

发布时间：2025-12-14 00:38:59 丨 浏览次数：

　　国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“使用经由远程外延进行碳化硅层转移的结构制造方法及碳化硅结构”的专利，公开号CN121046946A，申请日期为2025年3月。

　　专利摘要显示，一种使用经由远程外延进行碳化硅(SiC)层转移的结构制造方法及碳化硅结构，该方法包括在供体晶圆的碳面上形成范德华层，在该范德华层上生长外延SiC层，并且将该外延SiC层晶圆键合到支撑基板晶圆。该支撑基板晶圆由多晶SiC制成。该方法还包括将该外延SiC层与该范德华层分离，以生成最终结构，该最终结构包括在该支撑基板晶圆的该多晶SiC上的该外延SiC层。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。