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优普莱申请偏压成核的高取向多晶薄膜制备方法、系统、终端及存储介质专利有效提高高取向多晶薄膜的生长效率

发布时间：2025-12-14 00:39:27 丨 浏览次数：

　　国家知识产权局信息显示，深圳优普莱等离子体技术有限公司、广东优普莱金刚石技术有限公司申请一项名为“一种偏压成核的高取向多晶薄膜制备方法、系统、终端及存储介质”的专利，公开号CN121023462A，申请日期为2025年10月。

　　专利摘要显示，本发明属于金刚石培育技术领域，公开了一种偏压成核的高取向多晶薄膜制备方法、系统、终端及存储介质，所述方法包括：确定目标基底，并对所述目标基底进行偏置电压设置，得到带有偏置电压的基底；构建样品钼台，并根据所述带有偏置电压的基底和所述样品钼台生成目标基底表面温度；确定目标多晶，并根据所述目标基底表面温度对所述目标多晶进行偏压成核处理，得到目标晶体；对所述目标晶体进行生长取向控制和薄膜生成处理，得到高取向多晶薄膜。本发明通过对基底设置偏置电压，并构建样品钼台，能够满足金刚石原位成核所需的温度条件，同时通过控制目标多晶的生长取向，有效提高了高取向多晶薄膜的生长效率。

　　天眼查资料显示，深圳优普莱等离子体技术有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1041.8117万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳优普莱等离子体技术有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目53次，财产线条，此外企业还拥有行政许可17个。

　　广东优普莱金刚石技术有限公司，成立于2019年，位于东莞市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析，广东优普莱金刚石技术有限公司参与招投标项目3次，专利信息14条，此外企业还拥有行政许可9个。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。